*高的精度和稳定性

用硅改善性能：

利用DRiE工艺进行硅加工的示例

DRiE工艺水

• 我们在制造TERPS谐振器元件时充分利用了硅的力学性能。
• 为了优化和平衡谐振器的设计，我们采用了深度反应离子刻蚀（DRIE）硅技工技术。 DRIE可以设计具有复杂和多变几何形状的结构。
• 精度为0.01% FS（100 ppm）
• 稳定性为0.01% FS/年（100 ppm）

压力和温度范围大

硅熔融黏结工艺：  

• TERPS仅根据硅的力学性能进行设计，可以用于 -40 至to 85 °C（-40至185 °F）的温度范围。
• 这种设计还可以通过硅熔融黏结（SFB）工艺在谐振器上黏结不同厚度的硅，以便于用于高达70 bar（1000 psi）的压力范围。

TERPS 传感器元件横截面	SFB硅层横截面

坚固和可靠的包装

深度反应离子刻蚀（DRIE）可以设计具有复杂和多变几何形状的结构，并且可以使谐振器位于水平面上。 谐振器必须具有足够的刚度，以将能量损失降至*低，并采用油浸绝缘结构。

全焊TERPS模块可以使顶级设计工程师利用标准材料包装传感器。 这种产品封装在316L不锈钢模块中，起调节作用的电子设备位于25mm的主体管中。它提供一系列压力和电气接头。